闻驿

福州广场的羊蹄甲满树繁花。

微风拂过枝头，花瓣轻轻摇曳，偶尔随风飘落，与往来车流、市井街巷相映成趣。自然生长的花木不事雕琢，却将春日气息展现得淋漓尽致。不少市民途经此处，驻足观赏、拍照留念。

羊蹄甲、宫粉紫荆是福州常见的春季观赏行道树，花色柔和、姿态清雅，为城市街头增添了勃勃生机。记者从鼓楼区园林中心获悉，温泉支路、福州广场一带，羊蹄甲、宫粉紫荆等花树交错，目前正处于最佳观赏期，花期可持续至4月上旬。（记者 刘珺/文 池远/摄）

按照 @数码闲聊站说法，在内存涨价后今年手机定价逻辑彻底崩坏，旧机是普遍涨500，而未发布的新机将会被动升档，普通3K起，子系品牌更是要大洗牌，并给出了不同价位能买到什么处理器，2.5K是骁龙8sG4/天玑9500s，3K是骁龙8E，3.5K是天玑9500，4K是骁龙8EG5。

在AI热潮下，内存、闪存变得供不应求，尤其是从2025年开始，价格开始一路走高，现在内存零售价已经达到去年4倍左右，所以即使是手机厂商属于大客户，涨价依然是不可避免。

在3月10日，OPPO宣布OPPO以及一加部分已发售产品调价，接着到了3月16日vivo宣布vivo及iQOO部分产品调价，虽然二者都没说是加价，但是在当前大环境下降价是不可能的。而且小编坚信，这只是手机涨价潮的第一波，华为、荣耀、小米等品牌即使不发布价格调整通知，或迟或早都会进行涨价。

而现在距离618仅剩下2个月时间，按照以往操作，电商平台、品牌至少会提前一个月拉开6.18大促序幕。但考虑现在内存、闪存一天一个价，大家计划在618期间入手手机、电脑的话，不要再等了，现在就下手。

　　  7月19日，“七月荔枝红”主题书画展展出的荔枝手工艺作品吸引参观者。近日，该展览在广州市广州图书馆展出，以岭南荔枝为主题，展现广州白云区乡村振兴与岭南文化魅力。中新社记者 陈楚红 摄　

　　  7月19日，“七月荔枝红”主题书画展展出的釉上五彩作品《大荔图》吸引参观者。近日，该展览在广州市广州图书馆展出，以岭南荔枝为主题，展现广州白云区乡村振兴与岭南文化魅力。中新社记者 陈楚红 摄

　　  7月19日，“七月荔枝红”主题书画展吸引参观者。近日，该展览在广州市广州图书馆展出，以岭南荔枝为主题，展现广州白云区乡村振兴与岭南文化魅力。中新社记者 陈楚红 摄

　　  7月19日，“七月荔枝红”主题书画展吸引参观者。近日，该展览在广州市广州图书馆展出，以岭南荔枝为主题，展现广州白云区乡村振兴与岭南文化魅力。中新社记者 陈楚红 摄

　　  7月19日，“七月荔枝红”主题书画展吸引参观者。近日，该展览在广州市广州图书馆展出，以岭南荔枝为主题，展现广州白云区乡村振兴与岭南文化魅力。中新社记者 陈楚红 摄

奥沙利文两破百速胜史蒂文斯

“火箭”奥沙利文保持巅峰状态已经超过25年，最近两个赛季则是再回巅峰表现，上赛季两夺排名赛冠军包括个人世锦赛第七冠，本赛季则是收获香港大师赛和冠中冠两个重量级邀请赛冠军。英锦赛上奥沙利文首轮对手是老将史蒂文斯，后者是2003年的英锦赛冠军，最近几个赛季则是罕有亮眼表现，两人此前有过24次交手，奥沙利文18胜6负占据绝对优势。

首局比赛中，一上来奥沙利文迅速找到进攻手感，尽管率先上手的是史蒂文斯，但进攻中断在8分，随后奥沙利文行云流水的围球打出单杆81分制胜1-0领先。第2局比赛中，史蒂文斯将局面带入混乱中，进入争彩阶段后连续上手得分，65-35胜出这局总分来到1-1平。第3局奥沙利文继续打出精彩进攻表现，上手后围球打出单杆94分制胜，第4局奥沙利文又完成一杆107分破百，总分来到3-1领先。

15分钟局间休息后，第5局中史蒂文斯依旧是乱局制胜，零敲碎打下57-15超分胜出这局，第6局奥沙利文又在围球上打出单杆73分，总分4-2扩大优势。第7局奥沙利文没能打出单杆50+表现，但两度上手下还是取得超分优势，史蒂文斯打进红球后叫位彩球失误放弃这局，5-2奥沙利文拿到赛点。第8局中奥沙利文没有让比赛继续进行，打出单杆102分本场第二杆破百，生涯总破百数来到1186杆，总分6-2奥沙利文挺进英锦赛16强。

宾汉姆6-2海菲尔德

老将宾汉姆最近两个赛季没有太多亮眼表现，上赛季有大奖赛打进四强的战绩，本赛季则是已经两次止步排名赛首轮。本届英锦赛宾汉姆首轮对手是海菲尔德，后者在资格赛上6-5绝杀名将卡特获得正赛席位。

比赛开局阶段宾汉姆一改慢热习惯，迅速通过一杆长台进攻建立优势，打出单杆54分后98-5大比分赢得首局胜利，第2局中宾汉姆又一杆61分拉开分差，再度上手后超分拿下这局，总分来到2-0领先。第3局海菲尔德终于有连续围球机会，这杆进攻打出单杆81分一杆制胜，第4局宾汉姆连续长台拼进蚕食分数，连续多杆上手下94-0超分拿下这局，总分来到3-1领先。

局间休息后比赛进程加快，第5局海菲尔德拼长台上手连得57分，此后宾汉姆打出高水平，完成一杆58分后71-57逆转拿下这局，总分4-1领先。第6局对攻大战继续，这一次和上一局正好相反，宾汉姆连得56分没能带走胜利，海菲尔德随后单杆81分拿下这局，总分2-4再度缩小分差。第7局宾汉姆没有让对手继续追分，零敲碎打下96-0大比分拿下这局来到赛点，第8局两人缠斗到最后的黑球，宾汉姆66-52胜出总分6-2挺进英锦赛16强。

另外一场比赛在老将“金左手”威廉姆斯和克拉克之间进行，比赛开局阶段威廉姆斯状态神勇，打出两杆50+下比分2-1领先，此后克拉克开始追分，2-3落后开始连胜三局5-3拿到赛点，第9局威廉姆斯手握57-8的优势没能拿下，克拉克打出单杆64分清台，总分6-3将威廉姆斯淘汰出局。

本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

1

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

2

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：

后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

3

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。